英特尔 18A 工艺节点与英特尔 3 相比，ISO 频率提高 25%，相同频率下功耗降低 36%，密度提高 30% 以上
英特尔 18A 工艺节点相比英特尔 3 节点提供更高的性能、效率和密度
在2025 年 VLSI 技术与电路研讨会上，英特尔进一步强调了其下一代 18A 工艺节点的特性，该节点将出现在即将推出的系列产品中，例如面向客户端的“Panther Lake”CPU和面向服务器的Clearwater Forest E-Core-only Xeon产品。
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看起来英特尔 18A 节点的主要亮点将是 RibbonFET (GAA) 和 PowerVia，从而实现向下一轮工艺技术的过渡。
从 18A RibbonFET 技术开始，英特尔将在 FinFET 技术上取得实质性飞跃，提供栅极静电的改进，与 FinFET 相比，单位面积有效宽度更大，与 FinFET 相比，单位面积寄生电容更小，并且提供比 FinFET 更高的灵活性。
英特尔还通过为 180H 和 160H 库引入多种带状宽度、通过 DTCO 优化逻辑功率/泄漏与性能以及针对位单元性能优化的 SRAM 专用带状宽度，提高了 RibbonFET 与 FinFET 的设计灵活性，所有这些都增强了在 18A 节点上制造的下一代芯片的性能和设计能力。
- ＞提高逻辑密度
- ＞更好的标准单元利用率
- ＞下部信号 RC
- ＞减少电压降
- ＞更高的设计灵活性
凭借这些改进，英特尔 18A 的等功耗性能比英特尔 3 提升了 15% 以上。在相同的 1.1V 电压下，英特尔 18A 的主频提升了约 25%，并且还支持低于 0.65V 的低压运行，在相同时钟频率下可节省高达 38% 的功耗。英特尔表示，18A 的多个因素有助于提升性能，例如：
- ＞RibbonFET晶体管
- ＞背面功率优势
- ＞前端互连改进
- ＞流程/设计共同优化
在密度扩展方面，英特尔 18A 比英特尔 3 密度提升高达 39%（约 30%），其背面供电技术使单元利用率提升 8-10%，将最坏情况下的 IR 下降降低 10 倍。英特尔 18A 还支持 180 纳米 HP 库高度（而非 240 纳米，英特尔 3），160 纳米 HD 库高度（而非 210 纳米，英特尔 3），以及 32/32 的 M0/M2 间距（而非 30/42，英特尔 3）。
最后，在 SRAM 扩展方面，英特尔 18A 的 HCC SCRAM 密度较英特尔 3 提升了 30%，提供 HCC 0.0230um² 和 HDC 0.0210um² SRAM。至于 18A，它并不止于此，因为该公司还有更多节点迭代，将于 2026-2028 年之间推出。该系列包括 18A-P 和 18A-PT，它们最近在Direct Connect 2025上发布。英特尔还希望客户能够利用这些节点进行芯片生产。
